برگزاری دفاعیه دکتری در دانشکده شیمی

 
                                                                                                        
 
 
 
 
 
 
 
 
خانم مهسا علی­محمدیان دانشجوی دکتری شیمی، در تاریخ ۰۹/۱۰/۹۹ از رساله دکتری خود تحت عنوان" بررسی تاثیرتغییر ساختار الکترونی گرافین و نقش دما، فشار و میدان مغناطیسی در ایجاد خاصیت فرومغناطیس در آن” با راهنمایی خانم دکتر بهشته سهرابی دفاع خواهدکرد.
 
استاد راهنما: خانم دکتر بهشته سهرابی
هیات داوران: خانم دکتر آزاده تجردی، آقای دکتر امیرحسین احمد خان کردبچه، آقای دکتر رسول عبداله میرزائی، خانم دکتر زینب موسوی موحدی
 
  این جلسه ساعت ۱۸ روز سه شنبه بصورت مجازی برگزار خواهد شد.
 
  چکیده:  خواص مغناطیسی گرافین در اسپینترونیک و ذخیره سازی داده­ها از اهمیت بالایی برخوردار است. اگرچه خاصیت فرو مغناطیس در عنصری مانند کربن غیر منتظره است ، اما روشهای مختلفی برای ایجاد مغناطش در گرافین ، ماده­ای که کاملاً از کربن ساخته شده، گزارش شده است. اخیراً، کنترل خصوصیات مغناطیسی در دمای بسیار پایین با افزودن و حذف اتم ها در شبکه های گرافین بررسی شده­است. افزون بر این ، اثر فشار در خواص مغناطیسی و الکترونیکی گرافین بررسی شده است. در این رساله ، خاصیت مغناطیسی توسط فشار ، میدان مغناطیسی و دما ایجاد شده است. این پارامترها بر سیستم الکترونیکی و حالتهای ارتعاشی گرافین تاثیر می­گذارد که از طریق طیف سنجی رامان و زیرقرمز مورد بررسی قرار گرفته­است. در واقع ، در این روش­ها توزیع و چرخش الکترونها دستکاری شده و گرافین فرومغناطیسی با حوزه­های مغناطیسی موازی به دست آمده­است. حوزه های مغناطیسی در اندازه میکرومتر بوده که با میکروسکوپ نیروی مغناطیسی مشاهده شده­است. در این رساله افزون بر مشاهده­ی حوزه­های مغناطیسی در گرافین، دستاوردهای دیگری نیز حاصل شده­است: معرفی چهار روش جدید بر اساس دما ، میدان مغناطیسی و فشار برای تولید گرافین فرومغناطیسی که بطور جداگانه و همزمان بر روی ورقه­های گرافین اعمال می شود، بدست آوردن گرافین فرومغناطیس با مغناطیس اشباع قابل توجه در دمای اتاق، بررسی سیستمهای الکترونیکی و حالتهای ارتعاشی از طریق طیف سنجی رامان و زیر قرمز که دلیل اصلی فرآیند مغناطیسی است.