[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
درباره پژوهشکده::
معرفی افراد::
فعالیتهای پژوهشی::
اخبار::
تماس با ما::
تسهیلات پایگاه::
آزمایشگاههای تحقیقاتی::
::
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
منابع علمی

AWT IMAGE

AWT IMAGE

..
پیوند فوری

AWT IMAGE

AWT IMAGE
..
توجه در خصوص اخبار کنفرانسها

توجه

اخبار کنفرانس‌ها و سمینارهای علمی را می‌توانید با مراجعه به وبسایت http://ers.iust.ac.ir پیگیری نمایید. خواهشمند است جهت برنامه‌ریزی بهتر در برگزاری نشست‌ها و دریافت اطلاعات پس از برگزاری در سامانه مذکور ثبت نام نمایید. شایان ذکر است ثبت نام رایگان می باشد.

..
:: گزارش اولین رشد MBE پس از راه اندازی مجدد ::
 | تاریخ ارسال: 1396/2/3 | 

انجام اولین رشد MBE بعد از راه اندازی مجدد

در تاریخ 1395/12/11 اولین رشد توسط دستگاه MBE بعد از راه اندازی مجدد انجام شد. در این رشد، حدود 2 میکرو متر InSb  بر روی زیر لایه GaAs(001) Undoped  رشد داده شد.

مشخصه نگاری به 5 طریق زیر انجام شد:

1. RHEED در هنگام رشد توسط سیستم MBE

2. تصویربرداری با SEM

3. آزمایش اثر HALL

4. مشخصه یابی با XRD

5. تصویربرداری با AFM

برای مشاهده گزارش کامل همراه با توضیح و عکسها به فایل PDF زیر مراجعه نمایید.

گزارش اولین رشد MBE بعد از راه اندازی مجدد
 

دفعات مشاهده: 6515 بار   |   دفعات چاپ: 929 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 0 بار   |   0 نظر
کلیه حقوق مادی و معنوی این سایت متعلق به پژوهشکده الکترونیک می باشد . نقل هرگونه مطلب با ذکر منبع بلامانع می باشد .