انجام اولین رشد MBE بعد از راه اندازی مجدد

در تاریخ 1395/12/11 اولین رشد توسط دستگاه MBE بعد از راه اندازی مجدد انجام شد. در این رشد، حدود 2 میکرو متر InSb  بر روی زیر لایه GaAs(001) Undoped  رشد داده شد.

مشخصه نگاری به 5 طریق زیر انجام شد:

1. RHEED در هنگام رشد توسط سیستم MBE

2. تصویربرداری با SEM

3. آزمایش اثر HALL

4. مشخصه یابی با XRD

5. تصویربرداری با AFM

برای مشاهده گزارش کامل همراه با توضیح و عکسها به فایل PDF زیر مراجعه نمایید.

گزارش اولین رشد MBE بعد از راه اندازی مجدد