|
دانشگاه علم و صنعت ایران؛ سرآمد در علم و فناوری،
پیشرو در کارآفرینی دانش بنیان
|
|
پژوهشکده الکترونیک دانشگاه علم و صنعت ایران در سال 1376 با هدف ارائه خدمات پژوهشی در زمینه الکترونیک شامل ابزار دقیق و اتوماسیون، اندازه گیری الکترونیکی، نیمه هادی و طراحی مدار تاسیس گردید. از بدو تاسیس تاکنون آزمایشگاههای تخصصی متنوعی، از جمله آزمایشگاه نیمه هادی، آزمایشگاه طراحی مدارات مجتمع، آزمایشگاه تئوری اطلاعات، آزمایشگاه کنترل حرکت پیشرفته و ... در این پژوهشکده فعال بوده‌اند و پروژه‌های صنعتی متعددی در این آزمایشگاه‌ها به انجام رسیده است. ادامه مطلب ...
|
 ۱۳۹۶/۶/۲۶ - پیوستن آزمایشگاه MBE به شبکه آزمایشگاهی فناوری های راهبردی
 |
آزمایشگاه لایه نشانی به روش پرتو مولکولی (MBE) در پژوهشکده الکترونیک، به "شبکه آزمایشگاهی فناوری های راهبردی" پیوست.
از این پس، متقاضیان رشد لایه های نازک از جنس نیمه هادی های گروه 3 و 5 از جدول تناوبی عناصر می توانند تقاضای رشد خود را از طریق شبکه آزمایشگاهی فناوری های راهبردی کشور به ثبت برسانند.
نشانی آزمایشگاه MBE :
http://labsnet.ir/lab/685
|
۱۳۹۶/۲/۳ - گزارش اولین رشد MBE پس از راه اندازی مجدد
 |
اولین رشد MBE بعد از راه اندازی مجدد
در تاریخ 1395/12/11 اولین رشد توسط دستگاه MBE بعد از راه اندازی مجدد انجام شد. در این رشد، حدود 2 میکرو متر InSb بر روی زیر لایه GaAs(001) Undoped رشد داده شد. برای مشاهده جزییات بیشتر اینجا کلیک نمایید.
|
|
