[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
درباره پژوهشکده::
معرفی افراد::
فعالیتهای پژوهشی::
اخبار::
تماس با ما::
تسهیلات پایگاه::
آزمایشگاههای تحقیقاتی::
::
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
منابع علمی

AWT IMAGE

AWT IMAGE

..
پیوند فوری

AWT IMAGE


AWT IMAGE

..
توجه در خصوص اخبار کنفرانسها

توجه

اخبار کنفرانسها صرفا جهت اطلاع رسانی بوده و برگزاری آنها به این پژوهشکده مربوط نمی باشد. لطفا هرگونه سوالی در زمینه کنفرانسها را از سایت مربوطه یا شماره تماسهای ذکر شده در متن خبر پیگیری بفرمایید. با تشکر مدیریت سایت

..
مستند پریدن از روی آتش
..
:: ارائه سخنرانی عملی درخصوص نیمه هادی III-V ::
 | تاریخ ارسال: ۱۳۹۵/۸/۲۰ | 

مدل سازی، رشد، اندازه گیری، و فبریکیشن افزارهای نیمه هادی های III-V

در این سخنرانی 3 بخش زیر به طور مختصر مرور خواهد شد:

  1. GaAs High Index

  2. آشکار گرهای مادون قرمز

  3. چالشها در صنعتی سازی افزارهای الکترونیکی

1- GaAs High Index

در چند دهه گذشته مطالعات وسیعی در زمینه ساختار سطحی GaAs Low Index انجام شده است اما ابعاد مختلف GaAs High Index هنوز ناشناخته است. در بخش اول این سخنرانی، تحولات نانو ساختار GaAs 311, GaAs711, GaAs 331 مطالعه و برسی میشود. برای مثال بیان میشود که چگونه  GaAs 311 بستری مناسب برای رشد افزارهای نیمه هادی ها و ساختارهای کوانتمی (  Quantum Wellو Quantum Dots ) است. از طرف دیگر GaAs 331 با سطوح اریبی  در جهت های 110 و 111 ،بستری مناسب برای رشد Quantum Wires است.

2- آشکار گرهای مادون قرمز

طیف گسترده آشکار گرهای مادون قرمز کاربرد وسیعی در کیهان شناسی، صنعت، نظامی، امنیتی، و پزشکی دارد. InAs/GaSb TypeII از جمله موادی هستند که توانایی بالا در تولید اشکار گرهای مادون قرمز دارند.  در ادامه، به برسی مدل سازی، رشد، اندازه گیری، و فبریکیشن افزارهای آشکار گرهای مادون قرمز از 1.5 ماکرون تا 35 ماکرون با InAs/GaSb TypeII می پردازیم.  

3- چالشها در صنعتی سازی افزارهای الکترونیکی

پایدار نگه داشتن پروسه، بهبود بازده ، توانایی پروسه، ضریب اطمینان، با پایین ترین هزینه از چالشهای تولید صنعتی افزارهای GaAs InP  است. در پایان، به چالشهای موجود در تولید صنعتی افزارهای الکترونیکیHBT , PHEMT بر روی GaAs ,InP اشاره ای خواهیم داشت.

مختصری از رزومه جناب آقای دکتر حمیدرضا یزدان پناه:

  1. فوق دکتری در "کاربرد فناوری نانو در تشخیص سلولهای سرطانی" از دانشگاه کالیفرنیا در ریورساید-امریکا.

  2. فوق دکتری در "طراحی و محاسبات و ساخت اشکارگرهای مادون قرمزاز"مرکز دستگاه های کوانتمی" از دانشگاه دانشگاه نورث وسترن-امریکا.

  3. دکتری در "ماکرو الکترونیک-فتو نیک" از دانشگاه ارکانزاس-امریکا.

  4. فوق لیسانس فیزیک حالت جامد از دانشگاه شهید بهشتی.

  5. لیسانس فیزیک از دانشگاه صنعتی شریف.

سوابق کاری

  1. مهندس لیتوگرافی در Deposit Sciences Inc. (Lockheed Martin)  کالیفرنیا امریکا.

  2. مهندس ارشد IC درAgilent Technologies کالیفرنیا امریکا.

  3. سردبیر بولتن سانا (سازمان انرژی های نو ایران)و مهندس پمپ های خورشیدی در سازمان انرژی های نو ایران.

دفعات مشاهده: 1082 بار   |   دفعات چاپ: 69 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 0 بار   |   0 نظر

کد امنیتی را در کادر بنویسید >
   
سایر مطالب این بخش سایر مطالب این بخش نسخه قابل چاپ نسخه قابل چاپ ارسال به دوستان ارسال به دوستان
کلیه حقوق مادی و معنوی این سایت متعلق به پژوهشکده الکترونیک می باشد . نقل هرگونه مطلب با ذکر منبع بلامانع می باشد .