برگزاری دفاعیه دکتری در دانشکده شیمی
| تاریخ ارسال: 1398/2/9 |
دفاعیه دکتری در دانشکده شیمی
خانم اعظم کریمی دانشجوی دکتری شیمی، در تاریخ 16/2/98 از رساله دکتری خود تحت عنوان" مطالعه ویژگیهای نوری، ساختاری، ریختشناسی ،الکتریکی و کاتالیزگری نوری نانوساختارهای ZnS:Cu/SnS ؛ تهیه شده به روش شیمیایی
" با راهنمایی خانم دکتر سهرابی دفاع خواهدکرد.
استاد راهنمای اول: خانم دکتر بهشته سهرابی
استاد راهنمای دوم: ............................................
هیات داوران:1-آقای دکتر اصغر کاظم زاده 2- آقای دکتر محمدصفی رحمانی فر 3- خانم دکتر آزاده تجردی 4- آقای دکتر سید مجید هاشمیان زاده
این جلسه ساعت 10:30 روزدوشنبه دراتاق 3 دانشکده شیمی برگزار خواهد شد.
چکیده :
در این رساله لایههای نازک ZnS:Cu/SnS با به کاربردن روش لایه نشانی حمام شیمیایی به طور غیرمستقیم روی زیرلایههای شیشهای و پلیمری انعطافپذیر (پلیاستایرن) تهیه شدند. برای این کار ابتدا لایههای نازک با کیفیت ZnS با روش ساده و دوستدار محیط زیست حمام شیمیایی روی زیرلایههای شیشه و انعطافپذیر نشست داده شدند. سپس لایههای نازک ZnS:CuS از طریق غوطهورسازی لایههای نازک ZnS در محلول حاوی یونهای مس تهیه شدند. در ادامه، برای تهیه لایههای نازک ZnS:Cu/SnS به روش حمام شیمیایی و بدون استفاده از فرآیند سولفوره کردن در مجاورت گاز سمی S2H و هم چنین با حذف ماده سمی هیدرازین، لایههای نازک ZnS:CuS تهیه شده روی زیرلایههای شیشه و انعطافپذیر در محلول حاوی یونهای2+ Sn و2- S قرار داده شدند. ویژگیهای نوری، ساختاری، ریختشناسی،کاتالیزگری نوری و الکتریکی لایههای نازک ZnS، ZnS:CuS و ZnS:Cu/SnS با استفاده از طیفسنجی مرئی₋فرابنفش، طیفسنجی رامان، پراش پرتو ایکس، طیف سنجی فوتوالکترون پرتو ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی₋نشر میدانی، میکروسکوپ الکترونی عبوری، میکروسکوپ نیروی اتمی، طیف سنجی فوتولومینسانس و دستگاه اندازهگیری جریان- ولتاژ مورد بررسی قرار گرفتند. با توجه به بررسیهای انجام شده نتیجه گرفته شد که لایههایZnS به دلیل عبور نوری زیاد ( 80%< ) در ناحیه مرئی، شکاف انرژی پهن و بازتابش بسیار کم نور ( 5 %> ) میتوانند به عنوان لایههای بافر و پوششهای ضد بازتابش انعطافپذیر در پیلهای خورشیدی انعطافپذیر، دستگاههای فوتوولتایی و اپتوالکترونیک به کار روند. همچنین لایههای انعطافپذیر ZnS خصلت آبدوستی و خود تمیزشوندگی دارند. لایه نازک ZnS در معرض نور مرئی فعالیت کاتالیزگری نوری خیلی کمی در تخریب رنگدانههای رودامین بی از خود نشان داد. از طرفی پراش پرتو ایکس و رامان وجود دو فاز ZnS مکعبی وCuS هگزاگونال را در لایههای ZnS:CuS حاصل تایید کردند. لایههای نانوکامپوزیت ZnS:CuS تهیه شده دارای ترکیبهای شیمیایی 49/0S 03/0 Cu48/0 Zn و 49/0S 06/0 Cu45/0 Zn و 47/0S 48/0 Cu05/0 Zn بودند و به ترتیب عبور نوری 74-57، 70-56 و 47-38 % در محدوده 700 ـ 500 نانومتر و مقاومت سطحی 103×
7/7، 103×
5/5، و 103×
8/3 اهم/سطح مربع داشتند. لایههای نازک انعطافپذیر با ترکیب شیمیایی 49/0S 06/0 Cu45/0 Zn به دلیل شفافیت کم و بیش بالا و مقاومت سطحی پایین قابلیت کاربرد در دستگاههای فوتوولتایی و اپتوالکترونیک انعطافپذیر را دارد. همچنین لایههای تهیه شده فعالیت کاتالیزگری نوری در معرض نور مرئی از خود نشان داده و با افزایش مقدار مس در آنها اثر کاتالیزگری نوری در تخریب رنکدانههای رودامین بی افزایش یافت.
نتیجه تجزیه عنصری پرتو ایکس (EDX) وجود عناصر Zn، Cu، Sn و S را در لایه ZnS:Cu/SnS تشکیل شده تأیید کرد. در الگوی پراش پرتو ایکس ₋گریزینگ دو پیک مشخص در زاویههای °49/28 و° 47 که به ترتیب با صفحات (112) و (220) مطابقت دارند به ساختار کسترایت Cu2ZnSnS4(CZTS) تتراگونال نسبت داده شدند. الگوی پراش پرتوایکس تأیید کننده تشکیل CZTS بلوری روی زیرلایه انعطافپذیر بود. اندازه نانوبلورهای ذرات CZTS با به کار بردن معادلۀ شرر در حدود 9/24 نانومتر تخمین زده شدند. شکاف انرژی لایهها در حدود 71/1 الکترون ولت بهدست آمد که نسبت به شکاف انرژی CZTS تودهای (60/1-45/1 الکترون ولت) بیشتر بود که میتوان آن را به اثر اندازه نانوبلورها نسبت داد. مطالعه ریختشناسی سطح لایهها حاکی از تشکیل لایههای متراکم، بدون ترک و خلل و فرج روی زیرلایه انعطاف پذیر بود. در این مورد نتایج حاصل از میکروسکوپ نیروی اتمی و میکروسکوپ الکترونی روبشی ₋ نشر میدانی در توافق خوبی با یکدیگر بودند. مقاومت سطحی لایههای CZTS در حدود 103×1/1 اهم/ سطح مربع بهدست آمد و اندازهگیری زاویه تماسی لایههای جاذب CZTS با قطره آب نشان داد که لایهها خصلت آبدوستی دارند.
دفعات مشاهده: 2553 بار |
دفعات چاپ: 497 بار |
دفعات ارسال به دیگران: 0 بار |
0 نظر