دفاعیه دکتری در دانشکده مواد و متالورژی

 | تاریخ ارسال: 1393/3/7 | 
دفاعیه دکتری در دانشکده مواد و متالورژی
 سحر جعفری (دانشجوی دوره دکتری مهندسی مواد و متالورژی)،دوازدهم خردادماه 1393، از رساله دکتری خود با عنوان: بررسی اثر افزودنی فسفر و شرایط فرآیند بر ریز ساختار و خواص مغناطیسی آلیاژهای میکرو ساختار و نانو ساختار پایه آهن دفاع می کند.
 چکیده
 این رساله که راهنمایی آن را دکتر علی بیت اللهی، دکتر بیژن افتخاری یکتا بر عهده دارند، به شرح زیر است. این جلسه دفاعیه، ساعت 14 در سالن کنفرانس اساتید دانشکده مهندسی مواد و متالورژی برگزار می شود.
 در این تحقیق اثر افزودنی فسفر بر خواص مغناطیسی و ریزساختار آلیاژهای نرم مغناطیس میکرو ساختار و نانو ساختار برپایه آهن بررسی شد. مشاهدات میکروسکوپی در آلیاژهای میکروساختار نشان داد که نمونه های عملیات حرارتی شده همگی عاری از فازدوم و رسوبات فسفیدی بوده و همچنین با افزایش مقدار فسفر در ترکیب آلیاژ از at.% P 36 / 0 به at.% P 1 / 1 میانگین اندازه دانه ها افزایش یافت. اندازه گیری های حلقه هیسترزیس مغناطیسی نشان داد که پس از انجام عملیات حرارتی مناسب، بزرگی نیروی وادارندگی به طور قابل ملاحظه ای کاهش یافت. همچنین مقادیر B50 (T 74/1-6/1) نیز در نمونه ها با افزایش مقدار فسفر افزایش یافت. اندازه گیری اتلاف هسته ای مغناطیسی در T 1/ 400Hz نشان داد که اتلاف هیسترزیس و اتلاف جریانهای گردابی با افزایش مقدار فسفر در نمونه ها کاهش یافتند. همچنین در این تحقیق اثر فسفر بر ریز ساختار و خواص مغناطیسی آلیاژهای نانوساختار با ترکیب Fe84.3Si4B8P3Cu0.7 و Fe85Si2B8P4Cu1 مطالعه گردید.آنیلینگ سریع نوارهای آمورف موجب تشکیل نانو بلورهای (Si) Fe در اندازه های n‏m 15- 10در زمینه آمورف شد. مطالعات ریزساختاری توسط آنالیز اتم پروب 3 بعدی و HRTEMنشان داد که فسفر و بور بهندرت در فاز نانوساختار (Si) Fe متبلور شده بلکه در فاز آمورف باقیمانده رسوب کرده اند. همچنین به نظر می رسد که تشکیل خوشه های مس در حالت آمورف محرک شکل گیری ساختار نانوکریستالین بوده است. پلاریزاسیون اشباع مغناطیسی از حدود Js=1/55 T برای نمونه آمورف به Js=1/76 T برای نمونه های آنیل شده و با ساختار نانوکریستالین افزایش یافت. کمترین نیروی وادارندگی برای این سیستمهای آلیاژی A/m30- 20 بود

دفعات مشاهده: 7817 بار   |   دفعات چاپ: 2001 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 21 بار   |   0 نظر



CAPTCHA

  تمامی حقوق برای دانشگاه علم و صنعت ایران محفوظ است.