[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
مدیریت دانشکده::
درباره دانشکده::
معرفی افراد::
امور آموزش ::
امور پژوهش::
اخبار دانشکده::
فضاهای آموزشی و تحقیقاتی::
تسهیلات پایگاه::
ارتباط با صنعت::
لینک های مفید::
تماس با ما::
گروه های دانشجویی::
::
مراکز تحقیقاتی و پزوهشی
مرکز تست و پایش ماشین های الکتریکی

مرکز تحقیقات نانوپترونیکس 

پژوهشکده سبز  

پژوهشکده الکترونیک 

آزمایشگاه تحقیقاتی الکترونیک قدرت 

قطب علمی اتوماسیون و بهره برداری از سیستمهای قدرت 

مجله مهندسی برق و الکترونیک 

پژوهشکده مهندسی و فناوری عصبی ایران  

آزمایشگاه تحقیقاتی آنتن 

مرکز مطالعات راهبردی وبین الملل فاوا

..
پیوند با سیستم های دانشگاه

AWT IMAGE
AWT IMAGE

AWT IMAGE

AWT IMAGE

AWT IMAGE

AWT IMAGE

..
مصاحبه تخصصی دکترای برق 97

..
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
نظرسنجی
کدام بخش از سایت دانشکده مهندسی برق بیشتر مورد استفاده شما قرار می گیرد؟
آموزش و اطلاعیه های آموزشی
پژوهش و اطلاعیه های پژوهشی
اطلاعات دانشکده و اساتید
اخبار
اکثر موارد موجود در سایت
   
..
نظرسنجی
ارزیابی شما از سایت دانشکده مهندسی برق چیست؟
اطلاعات ارائه شده در حد کفایت است.
اطلاعات ارائه شده مطلوب است ولی نیاز به اطلاعات بیشتر می باشد.
اطلاعات ارائه شده کافی نیست.
   
..
درج نظر
به نظر شما کمبودهای سایت دانشکده برق چیست و برای رفع آن ها چه اقداماتی باید انجام شود؟ برای درج نظر کلیک نمایید.
..
:: دفاعیه آقای مصطفی مشهدی ::
 | تاریخ ارسال: ۱۳۹۷/۱۲/۴ | 
چکیده
برای رسیدن به پلاریزاسیون دایروی در آنتن های میکرواستریپی رویکردهای مختلفی مانند ایجاد اختلال در شکل پچ و یا استفاده از دو یا چند خط تغذیه در ساختار آنتن وجود دارد. اما یک رویکرد راحتتر برای رسیدن به پلاریزاسیون دایروی استفاده از فریت به عنوان زیرلایه در آنتن های میکرواستریپی است. در این پایان نامه نشان داده می شود که با استفاده از آنتن با زیر لایه فریت بدون ایجاد اختلال در پچ و یا استفاده از دو خط تغذیه، می توان به پلاریزاسیون دایروی در یک محدوده وسیع فرکانسی و در یک پهنای بیم زاویه ای وسیع دست یافت. اما عیب اصلی آنتن های میکرواستریپی با زیرلایه فریت، پهنای باند امپدانسی کم آنها به دلیل بالا بودن ضریب گذردهی نسبی فریت است. در این پایان نامه روش های افزایش پهنای باند امپدانسی آنتن های میکرواستریپی فریتی بررسی شده و تکنیک های مختلفی بدین منظور ارائه گردیده است. یکی از روش های موثر برای افزایش پهنای باند امپدانسی، استفاده از یک زیرلایه دی الکتریک با ضریب گذردهی پایین در کنار فریت است، که در این پایان نامه به تحلیل و بررسی آن پرداخته شده است و یک مدل تحلیلی برای آن ارائه گردیده است. بعد از تحلیل کامل آنتن دولایه دی الکتریک فریت، ساختارهای آرایه ای این آنتن ها تحلیل و بررسی شده است. بدین منظور در ابتدا به بحث تزویج متقابل بین دو آنتن پرداخته می شود و یک مدل تحلیلی برای محاسبه تزویج متقابل بین آنتن ها ارائه می گردد. سپس به بررسی و تحلیل اثر تزویج متقابل بر روی مشخصات تشعشعی آنتن ها آرایه ای می پردازیم و نشان می دهیم که تزویج متقابل می تواند باعث تغییر سطح گلبرگ های کناری، محل صفرهای پترن تشعشعی و سمتگرایی آنتن شود.
دفعات مشاهده: 40 بار   |   دفعات چاپ: 2 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 0 بار   |   0 نظر

کلیه حقوق مادی و معنوی این سایت متعلق به دانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران می باشد . نقل هرگونه مطلب با ذکر منبع بلامانع می باشد .
Persian site map - English site map - Created in 0.11 seconds with 53 queries by YEKTAWEB 3858